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J-GLOBAL ID：200902101736045306   Reference number：02A0394970

A Comparison of Photoemission Profiles Emitted in Semiconductor Devices and Photo-Intensity Proleles Observed by a Photoemission Microscope by Propagating Optical Path Simulation.

半導体デバイス内の発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較

Author (3)： KAMEDA ETSUMASA (富山工高専) ,  MATSUDA TOSHIHIRO (富山県大 工) ,  OZONE TAKASHI (富山県大 工)
Material： シミュレーション  (Journal of the Japan Society for Simulation Technology)
Volume： 21  Issue： 1  Page： 65-71  Publication year： Mar. 15, 2002 
JST Material Number： L0458A  ISSN： 0285-9947  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (14)：

• OHZONE, T. Three-Dimensional Effects of Latchup Turn-On CMOS and Forward-Biased n^+-Diode Measured by Photoemission. Proc. IEEE 1992 Int. Conf. on Microelectronic Test Structures. 1992, 5, 115-120
• OHZONE, T. A Two-Dimensional Analysis of Hot-Carrier Photoemission from LOCOS-and Trench-Isolated MOSFETs. Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. 1992, 527-530
• MATSUDA, T. A Study on Hot-Carrier-Induced Photoemission in n-MOSFETs. IEICE Trans. Electron. 1999, E82-C4, 593-601
• 亀田悦正. 半導体デバイス内の光伝搬経路と光量強度分布の一解析法. シミュレーション. 1999, 18-2, 121-127
• 亀田悦正. 半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析. シミュレーション. 2001, 20, 1, 78-85

Terms in the title (8)： 半導体デバイス ,  分布 ,  解析 ,  顕微鏡 ,  観測 ,  光強度分布 ,  伝搬経路 ,  シミュレーション