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J-GLOBAL ID：200902107895490386   Reference number：01A0106989

SiC Epitaxial Growth by Vertical Hot-Wall Type Chemical Vapor Deposition.

縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長

Author (2)： TAKAHASHI KUNIMASA (松下電器産業 先端技研) ,  KITABATAKE MAKOTO (松下電器産業 先端技研)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 21  Issue： 12  Page： 771-777  Publication year： Dec. 10, 2000 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (17)：

• 1) 木本恒暢, 松波弘之 : 応用物理 64, 691 (1995).
• 2) H. Matsunami and T. Kimoto: Mat. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• 3) S. Yoshida, K. Sasaki, S. Misawa and S. Gonda: Appl. Phys. Lett. 46, 766 (1985).
• 4) M. Uchida and M. Kitabatake: Thin Solid Films 335, 32 (1998).
• 5) 金谷正敏, 大谷 昇, 高橋 淳, 西川 猛, 勝野正和 : 応用物理 64, 642 (1995).

Terms in the title (4)： 縦型 ,  ホットウォールCVD ,  SiC ,  エピタキシャル成長