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J-GLOBAL ID：200902110545393737   Reference number：03A0119157

Dependence of Temperature-Dependent Hole Concentration on Position of p-type Wafer within Polycrystalline Si Ingot for Solar Cells.

多結晶Si太陽電池用ウェハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存

Author (3)： ISHIDA TAKUYA (大阪電通大) ,  KURODA TOMOHIRO (大阪電通大) ,  MATSUURA HIDEHARU (大阪電通大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 102  Issue： 540(SDM2002 211-226)  Page： 1-6  Publication year： Dec. 20, 2002 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,...
Semi thesaurus term： 正孔密度 ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Solar cell  (NC03084O)

Reference (6)：

• MATSUURA, H. Determination of Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Grown from Si_2(CH_3)_6 Using Hall-Effect Measurements. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 5069-5075
• MATSUURA, H. Acceptor Densities and Acceptor Levels in Undoped GaSb Determined by Free Carrier Concentration Spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 41, 496-500
• The Windows application software for FCCS can be freely downloaded at our web site. http://www.osakac.ac.jp/labs/matsuura/
• SZE, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 1981
• ZOTH, G. A fast, preparation-free method to detect iron in silicon. J. Appl. Phys. 1990, 67, 6764-6771

Terms in the title (6)： 多結晶Si ,  太陽電池 ,  ウェハ ,  正孔密度 ,  温度依存性 ,  インゴット