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J-GLOBAL ID：200902113004415435   Reference number：00A0795842

Improvement of Optical Properties of Multilayer Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattices on GaAs(311)A.

GaAs(311)A上のGaP/InP短周期超格子に自己形成された多層量子ドットの光学的性質の改善

Author (8)： WATANABE D (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOH J-H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUDETA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI J (Kwansei-Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  MATSUDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 7B  Page： 4601-4603  Publication year： Jul. 30, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： multilayer film ,...
Semi thesaurus term： gallium indium phosphide ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (6)：

• 1) S. J. Kim, H. Asahi, M. Takemoto, K. Asami, M. Takeuchi and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4225.
• 2) S. J. Kim, H. Asahi, M. Takemoto, J. H. Noh, K. Asami and S. Gonda: Appl. Surf. Sci. 113/114 (1997) 97.
• 3) S. J. Kim, H. Asahi, K. Asami, M. Takemoto, M. Fudeta and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1540.
• 4) J. H. Noh, H. Asahi, S. J. Kim and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 3793.
• 5) J. H. Noh, H. Asahi, M. Fudeta, D. Watanabe, J. Mori and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2521.

Terms in the title (9)： GaAs ,  GAP ,  InP ,  短周期 ,  超格子 ,  自己形成 ,  多層 ,  量子ドット ,  光学的性質