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J-GLOBAL ID：200902114564155834   Reference number：98A0605260

A Novel Phase-Modulated Excimer-Laser Crystallization Method of Silicon Thin Films.

シリコン薄膜の新しい位相変調エキシマレーザ結晶化法

Author (3)： OH C-H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OZAWA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 5A  Page： L492-L495  Publication year： May. 01, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,...
Semi thesaurus term： 位相シフトマスク

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (10)：

• 1) N. Yamauchi and R. Reif: J. Appl. Phys. 75 (1994) 3235
• 2) S. W. Lee, Y. C. Jeon and S. K. Joo: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1671
• 3) T. Sameshima, M. Hara, N. Sano and S. Usui: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L1363.
• 4) R. Ishihara and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 6167
• 5) H. Kuriyama, S. Kiyama, S. Noguchi and S. Nakano: IEEE IEDM (1991) 563.

Terms in the title (4)： シリコン薄膜 ,  位相変調 ,  エキシマレーザ ,  結晶化