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J-GLOBAL ID：200902123223623545   Reference number：99A1040633

High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Thin Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition. (1st Report). Design and Production of the Atmospheric Pressure Plasma CVD Apparatus with Rotary Electrode.

大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第1報) 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作

Author (7)： MORI YUZO (大阪大 大学院) ,  YOSHII KUMAYASU (大阪大 大学院) ,  YASUTAKE KIYOSHI (大阪大 大学院) ,  KAKIUCHI HIROAKI (大阪大 大学院) ,  KIYAMA SEIICHI (三洋電機) ,  TARUI HISAKI (三洋電機) ,  DOMOTO YOICHI (三洋電機)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 65  Issue： 11  Page： 1600-1604  Publication year： Nov. 05, 1999 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma CVD ,...

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JST classification (2)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (4)：

• MORI, Y. Atmospheric Pressure Plasma chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate. 1996 The Japan-China Bilateral Symp on Advanced Manufacturing Engineering. 1996, 84
• KAWABE, H. Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure. Proc. 7th Int. Prec. Eng. Seminar. 1993, 554
• ODA, S. Diagnostic Study of VHF Plasma and Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films. Jpn. J. Appl. Phys. 1990, 29, 10, 1889
• OTOBE, M. Preparation of Microcrystalline Silicon Films by Very-High Frequency Digital Chemical Vapor Deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 6B, 1948

Terms in the title (9)： 大気圧プラズマ ,  CVD法 ,  アモルファスSi ,  高速成膜 ,  研究 ,  回転電極 ,  CVD装置 ,  設計 ,  試作