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J-GLOBAL ID：200902135685898270   Reference number：00A0692965

Poly(α-methyl-p-hydroxystyrene-co-methacrylonitrile) Based Single-Layer Resists for VUV Lithography: (1) Synthesis, Properties and Photochemistry.

VUVリソグラフィー用ポリ(α-メチル-p-ヒドロキシスチレン-co-メタクリロニトリル)ベースの単一層レジスト I 合成,物性及び光化学

Author (6)： SHIRAI M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KATAOKA A (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  SHINOZUKA T (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  TSUNOOKA M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KISHIMURA S (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN) ,  SASAGO M (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Photopolymer Science and Technology  (フォトポリマー懇話会誌)
Volume： 13  Issue： 3  Page： 459-465  Publication year： 2000 
JST Material Number： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photochemical reaction ,...
Semi thesaurus term： material property ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Photochemical reactions  (CB08020F)

Substance index (7)： Acrylonitrile ,  Methacrylonitrile ,  tert-Butyl 4-vinylphenyl carbonate ,  4-(tert-Butoxycarbonyloxy)-α-methylstyrene ,  α-Methylstyrene ,  Trimethylammonium ,  4-Isopropenylphenol

Reference (12)：

• 1). M. Sasago, J. Photopolym. Sci. Technol., 12, 585 (1999).
• 2). T. M. Bloomstein, M. W. Horn, M. Rothschild, R. Kunz, S. T. Palmacci and R. B. Goodman, J. Vac. Sci. Technol., B15, 2112 (1997).
• 3). T. M. Bloomstein, M. Rothschild, R. R. Kunz, D. E. Hardy, R. B. Goodman and S. T. Palmacci, J. Vac. Sci. Technol., B 16,3154 (1998).
• 4). S. Kishimura, A. Katsuyama, M. Sasago, M. Shirai and M. Tsunooka, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 7103 (1999).
• 5). R. R. Kunz, T. M. Bloomstein, D. E. Hardy, R. B. Goodman, D. E. Downs and J. E. Curtin, Proc. SPIE, 3678, 13 (1999).

Terms in the title (9)： VUV ,  リソグラフィー ,  p-ヒドロキシスチレン ,  CO ,  メタクリロニトリル ,  単一層 ,  レジスト ,  物性 ,  光化学