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J-GLOBAL ID：200902138138098315   Reference number：02A0597324

Effect of Annealing on Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Wells.

強く歪んだGaInAs/GaAs量子井戸へのアニーリング効果

Author (6)： KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ARAI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  AZUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  UCHIDA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 6A  Page： L612-L614  Publication year： Jun. 01, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (14)：

• 1) H. Q. Hou, K. D. Choquette, K. M. Geib and B. E. Hammons: IEEE Photon. Technol. Lett. 9 (1997) 1057.
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• 3) Z. Zou, D. L. Huffaker, H. Deng and D. G. Deppe: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 22.
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• 5) D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, F. Koyama and K. Iga: IEEE Photon. Technol. Lett. 11 (1999) 946.

Terms in the title (4)： GaInAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  アニーリング効果