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J-GLOBAL ID：200902139079233307   Reference number：01A0823401

Deep Level Study in Heteroepitaxial 3C-SiC Grown on Si by Hexamethyldisilane.

ヘキサメチルジシランを使いSi基板に成長したヘテロエピタキシャル3C-SiCの深い準位の研究

Author (7)： KATO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  MASUDA Y (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  CHEN Y (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  NISHINO S (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 40  Issue： 8  Page： 4943-4947  Publication year： Aug. 15, 2001 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Substance index (1)： Hexamethyldisilane

Reference (22)：

• 1) N. Kuroda, K. Shibahara, W. S. Yoo, S. Nishino and H. Matsunami: Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1987) p. 227.
• 2) Y. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43 (1978) 209.
• 3) Y. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 52 (1981) 146.
• 4) G. L. Harris: Properties of Silicon Carbide (INSPEC, London, 1995) Chap. 8, p. 204.
• 5) K. Takahashi, S. Nishino and J. Saraie: J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 3565.

Terms in the title (6)： ヘキサメチルジシラン ,  Si基板 ,  成長 ,  3C-SiC ,  深い準位 ,  研究