Art

J-GLOBAL ID：200902139926016512   Reference number：01A0654562

High Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC Buried Channel MOSFETs.

ノーマリオフ型4H-SiC埋込みチャネルMOSFETの高チャネル移動度

Author (7)： HARADA S (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R&D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  SENZAKI J (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KOSUGI R (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ADACHI K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 22  Issue： 6  Page： 272-274  Publication year： Jun. 2001 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： 4H-SiC

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0654562&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： マリ ,  4H-SiC ,  埋込み ,  チャネル ,  MOSFET ,  チャネル移動度