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J-GLOBAL ID：200902141073196560   Reference number：02A0058586

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep Ultraviolet Lithography: II. Limited Permeation of Si Compounds from Liquid Phase.

極端紫外リソグラフィー用の化学増幅を利用した表面シリル化単層レジスト II 液相からのSi化合物の制限された透過

Author (6)： SUGITA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YAMASHITA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  LIEW C M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARADA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUSHIDA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SAITO K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 40  Issue： 11  Page： 6658-6662  Publication year： Nov. 15, 2001 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： vacuum ultraviolet radiation ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (3)： Tetramethylammonium ,  2,2,4,4,6,6-Hexamethylcyclotrisilazane ,  Hexamethyldisilazane

Reference (7)：

• 1) K. Sugita, M. Ikagawa, K. Harada, M. Kushida and K. Saito: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 669.
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• 4) K. Sugita, N. Ueno, M. Kushida, K. Mizuno and H. Mitsui: J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 802.
• 5) H. Ito, E. Flores and A. F. Ronaldo: J. Electrochem. Soc. 135 (1988) 2328.

Terms in the title (11)： 極端紫外 ,  リソグラフィー ,  化学 ,  増幅 ,  シリル化 ,  単層 ,  レジスト ,  液相 ,  Si化合物 ,  制限 ,  透過