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J-GLOBAL ID：200902151310604763   Reference number：00A0330911

Highly Suppressed Short-Channel Effects in Ultrathin SOI n-MOSFET’s.

超薄SOI n-MOSFETの高度に抑制された短チャネル効果

Author (8)： SUZUKI E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ISHII K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KANEMARU S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TSUTSUMI T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SEKIGAWA T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  NAGAI K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIMA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 47  Issue： 2  Page： 354-359  Publication year： Feb. 2000 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： SOI ,  MOSFET ,  短チャネル効果