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J-GLOBAL ID：200902158356737819   Reference number：98A0695944

Suppression of Effects of Parasitic Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Single-Electron Transistors.

Si単一電子トランジスタへの寄生金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの効果の抑制

Author (5)： FUJIWARA A (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAMATSU H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  KURIHARA K (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  MURASE K (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 6A  Page： 3257-3263  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *transistor ,...
Semi thesaurus term： SET【トランジスタ】 ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (22)：

• 1) K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai and K. Seki: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 1628.
• 2) Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase and M. Tabe: Electron. Lett. 31 (1995) 136.
• 3) Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase and K. Murase: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1213.
• 4) K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 34
• 5) L. Guo, E. Leobandung and S. Y. Chou: Sience 275 (1997) 649.

Terms in the title (5)： Si ,  単一電子トランジスタ ,  寄生 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ