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J-GLOBAL ID：200902163950946880   Reference number：95A0459725

Thermal Agglomeration of Thin Single Crystal Si on SiO₂ in Vacuum.

SiO₂面につけた薄い単結晶Siの真空での熱凝集

Author (4)： ONO Y (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAGASE M (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  TABE M (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 34  Issue： 4A  Page： 1728-1735  Publication year： Apr. 1995 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： SIMOXウエハ

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JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Solid-solid interface  (CB12060M)

Reference (36)：

• GIMPL, M. L. J. Appl. Phys. 1964, 35, 3572
• BACHMANN, L. J. Appl. Phys. 1965, 36, 304
• KANE, W. M. J. Appl. Phys. 1966, 37, 2085
• SHARMA, S. K. Thin Solid Films. 1980, 65, 339
• LIFSHITS, V. G. Thin Solid Films. 1986, 135, 99

Terms in the title (4)： SiO2 ,  単結晶Si ,  真空 ,  凝集