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J-GLOBAL ID：200902168478432119   Reference number：99A0326918

30-nm-Gate InP-Based Lattice-Matched High Electron Mobility Transistors with 350 GHz Cutoff Frequency.

350GHz遮断周波数を持った30nmゲートのInP系格子整合高電子移動度トランジスタ

Author (6)： SUEMITSU T (NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  ISHII T (NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA H (NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  ENOKI T (NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  ISHII Y (NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAMAMURA T (NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 2B  Page： L154-L156  Publication year： Feb. 15, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (12)：

• 1) T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii and K. Nanbu: Jpn. J. Appl. Phys. 19 (1980) L225.
• 2) L. D. Nguyen, A. S. Brown, M. A. Thompson and L. M. Jelloian: IEEE Trans. Electron Devices 39 (1992) 2007.
• 3) T. Enoki, M. Tomizawa, Y. Umeda and Y. Ishii: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 798.
• 4) A. Ishibashi, K. Funato and Y. Mori: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L2382.
• 5) J. Han, D. K. Ferry and P. Newman: IEEE Electron Device Lett. 11 (1990) 209.

Terms in the title (5)： 遮断周波数 ,  ゲート ,  InP ,  格子整合 ,  高電子移動度トランジスタ