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J-GLOBAL ID：200902179159961089   Reference number：00A0808495

A 25-nm-long Channel Metal-Gate p-Type Schottky Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor on Separation-by-Implanted-Oxygen Substrate.

注入酸素による分離基板上の25nm長チャネル金属ゲートP型Schottkyソース-ドレイン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Author (3)： ITOH A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SAITOH S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 8  Page： 4757-4758  Publication year： Aug. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SIMOX ,...
Semi thesaurus term： Schottky barrier gate field effect transistor

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• 1) J. R. Tucker, C. Wang and P. S. Carney: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 618.
• 2) R. Hattori and J. Shirafuji: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 612.
• 3) C. K. Huang, W. E. Zhang and C. H. Yang: IEEE Trans. Electron Devices 45 (1998) 842.
• 4) J. P. Snyder, C. R. Helms and Y. Nishi: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1420.
• 5) C. Wang, J. P. Snyder and J. R. Tucker: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1174.

Terms in the title (8)： 注入 ,  酸素 ,  チャネル ,  金属ゲート ,  ソース ,  ドレイン ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ