Art

J-GLOBAL ID：200902185186395516   Reference number：02A0620129

Radial distribution of temperature gradients in growing CZ-Si crystals and its application to the prediction of microdefect distribution.

CZ-Si結晶成長における温度勾配の動径分布と微小欠陥分布予測に対するその適用

Author (8)： KITAMURA K (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  FURUKAWA J (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  NAKADA Y (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  ONO N (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  SHIMANUKI Y (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN) ,  EIDENZON A M (Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS) ,  PUZANOV N I (Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS) ,  PUZANOV D N (Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 242  Issue： 3/4  Page： 293-301  Publication year： Jul. 2002 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： single crystal ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0620129&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (8)： Si結晶 ,  成長 ,  温度勾配 ,  動径分布 ,  微小 ,  欠陥 ,  分布 ,  予測