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J-GLOBAL ID：200902188949168612   Reference number：02A0204432

Inspection of Ultra Fine Particles on the Si Wafer Surface Using a Laser Light Scattering Method.

レーザ光散乱法によるSiウエハ付着超微粒子計測

Author (9)： INOUE HARUYUKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  KATAOKA TOSHIHIKO (大阪大 大学院工学研究科) ,  ENDO KATSUYOSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  OSHIKANE YASUSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  MORI YUZO (大阪大 大学院工学研究科) ,  NAKANO MOTOHIRO (大阪大 大学院工学研究科) ,  AN HIROSHI (大阪電通大 工) ,  TAKEMURA TAICHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  WADA KATSUO (シリコンテクノロジー)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 68  Issue： 2  Page： 264-268  Publication year： Feb. 05, 2002 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (7)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors. 1998
• 松下嘉明. 超精密ウェーハ表面制御技術. サイエンスフォーラム. 2000, 297
• 井上晴行. レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発. 精密工学会誌. 1997, 63, 8, 1117
• 片岡俊彦. シリコンウエハ表面上の微粒子・微小欠陥による光散乱-散乱光強度およびレンズによる像形成の計算-. 精密工学会誌. 2000, 66, 11, 1716
• 新田晃久. 米国PMS社の表面付着粒子計数器. 空気清浄. 1990, 28, 1, 43

Terms in the title (5)： レーザ ,  光散乱法 ,  Siウエハ ,  超微粒子 ,  計測