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J-GLOBAL ID：200902178293737725   Reference number：97A0747999

Measurement of Ultra Fine Particles on the Si Wafer Surface Using a Laser Light Scattering Method.

レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発

Author (8)： INOUE HARUYUKI (大阪大 大学院) ,  KATAOKA TOSHIHIKO (大阪大 大学院) ,  ENDO KATSUYOSHI (大阪大 大学院) ,  OSHIKANE YASUSHI (大阪大 大学院) ,  MORI YUZO (大阪大 大学院) ,  SUGIYAMA KAZUHISA (大阪大 大学院) ,  AN HIROSHI (大阪電通大 工) ,  IYAMA SHOGO (大阪大 大学院)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 63  Issue： 8  Page： 1117-1121  Publication year： Aug. 1997 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： laser beam ,...

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JST classification (2)： General  (NC03161C) ,  Measuring instruments in general  (AD02000X)

Reference (10)：

• 秦清治. 外観検査自動化へのうねり. エレクトロニクス. 1992, 2, 26
• 平成4年度次世代ウルトラクリーン化技術に関する調査研究報告書. 1992, 635
• 小西義一. 半導体ウェーハの汚れを見る. 洗浄設計. 1988, 2
• 秋山伸幸. 半導体用異物検査技術. 精密工学会誌. 1989, 55, 2, 294
• 井上晴行. 光散乱によるSiウェーハ表面の微粒子計測. 1993年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集. 1993, 207

Terms in the title (6)： レーザ ,  光散乱法 ,  Siウエハ ,  微粒子 ,  計測装置 ,  開発