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J-GLOBAL ID：200902189090125548   Reference number：01A0575118

Optical Properties of a-SiC:H Films Prepared by Plasma CVD Method Dissociating Source Gases Separately.

原料ガス分離分解型プラズマCVD法により作製したa-SiC:H膜の光学的特性

Author (2)： MOTOHASHI MITSUYA (東京電機大 工) ,  HONMA KAZUAKI (東京電機大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J84-C  Issue： 6  Page： 508-515  Publication year： Jun. 01, 2001 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： plasma CVD ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (20)：

• TAWADA, Y. Preparation and velency electron control of a-SiC: H. Computers & Telecommunications. 1983, 6, 148-160
• TAWADA, Y. Properties and structure of a-SiC:H for high-efficiency a-Si solar cell. J. Appl. Phys. 1982, 53, 7, 5273-5281
• TOYAMA, T. Electroluminescence and avalanche multiplication at electric field strength exceeding 1MV/cm in hydrogenated amorphous SiC alloy. Jpn. J. Appl. Phys. 1. 1996, 35, 12A, 5975-5979
• SAWADA, K. Amorphous silicon avalanche photodiode films using a functionally graded superlattice structure. Jpn. J. Appl. Phys. 1. 1998, 37, 3B, 1091-1095
• 大久保努. a-Si_<1-X>C_X: H膜における光学的及び電気的特性の熱処理依存性. 信学論(C-II). 1996, J79-C-II, 11, 682-690

Terms in the title (6)： 原料ガス ,  分解 ,  プラズマCVD法 ,  作製 ,  SiC ,  光学的特性