Art

J-GLOBAL ID：200902204789175094   Reference number：04A0085648

Growth of ZnO on Si Substrate by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるSi基板上のZnOの成長

Author (4)： KAWAMOTO N (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TATSUMI T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HORIKOSHI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 12  Page： 7209-7212  Publication year： Dec. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,...
Semi thesaurus term： plasma treatment ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0085648&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (10)：

• 1) M. A. L. Johnson, S. Fujita, W. H. Rowland, Jr., W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr. and J. F. Schetzina: J. Electron. Mater. 25 (1996) 855.
• 2) Y. Chen, D. M. Bagnall, Z. Zhu, T. Sekiuchi, K.-T. Park, K. Hiraga, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T. Goto: J. Cryst. Growth 181 (1997) 165.
• 3) A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2635.
• 4) R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Shrama, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis and K. A. Jones: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 348.
• 5) J. H. Choi, H. Tabata and T. Kawai: J. Cryst. Growth 226 (2001) 493.

Terms in the title (6)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  Si基板 ,  ZnO ,  成長