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J-GLOBAL ID：200902206070907185   Reference number：09A1035368

Comparative Study on Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Diodes Composed of Poly(vinyliden fluoride-trifluoroethylene) and Poly(methyl metacrylate)-Blended Poly(vinyliden fluoride-trifluoroethylene)

ポリ(ビニリデンフルオリド-トリフルオロエチレン)およびポリ(メタクリル酸メチル)ブレンドポリ(ビニリデンフルオリド-トリフルオロエチレン)からなる金属-強誘電体-絶縁体-半導体ダイオードの比較研究

Author (3)： YOON Joo-Won (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  PARK Byung-Eun (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  ISHIWARA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 9,Issue 2  Page： 09KA21.1-09KA21.4  Publication year： Sep. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polyvinylidene fluoride ,  polymethyl methacrylate ,  *diode ,  ferroelectrics ,  spin coating ,  buffer layer ,  *device structure ,  dielectric thin film ,  MIM structure ,  aliphatic fluorine compound ,  olefin compound
Semi thesaurus term： *MFIS structure ,  polyvinylidene fluoride

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Substance index (1)： Trifluoroethylene

Reference (11)：

• Y. Arimoto and H. Ishiwara: MRS Bull.29(2004) No.11, 824.
• T. P. Ma and J.-P. Han: IEEE Electron Device Lett.23(2002)386.
• N. Yamauchi: Jpn. J. Appl. Phys.25(1986)590.
• S. H. Lim, A. C. Rastogi, and S. B. Desu: J. Appl. Phys.96(2004)5673.
• R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, and D. M. de Leeuw: Nat. Mater.4(2005)243.

Terms in the title (8)： ビニリデンフルオリド ,  トリフルオロエチレン ,  メタクリル酸メチル ,  ブレンド ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  半導体ダイオード ,  研究