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J-GLOBAL ID：200902206908206036   Reference number：05A0070481

GaN Crystal Growth on Sapphire Substrate Using Islandlike GaN Buffer Formed by Repetition of Thin-Layer Low-Temperature Deposition and Annealing in rf-Plasma Molecular Beam Epitaxy

RFプラズマ分子ビームエピタクシーにおける薄層低温堆積とアニーリングの繰り返しにより形成した島状GaNバッファを用いたサファイア基板上でのGaN結晶成長

Author (4)： SHIMIZU M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HIRATA Y (Meiji Univ., Kanagawa, JPN) ,  PIAO G (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 12A  Page： L1537-L1539  Publication year： Dec. 01, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (4)：

• 1) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 3) H. Fujikura, K. Iizuka and S. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2767.
• 4) B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 643.

Terms in the title (11)： RFプラズマ ,  分子ビームエピタクシー ,  薄層 ,  低温 ,  堆積 ,  アニーリング ,  島 ,  GaN ,  バッファ ,  サファイア基板 ,  結晶成長