Art

J-GLOBAL ID：200902216113797244   Reference number：09A0459288

材料あれこれ〔半導体〕Traveling Liquidus-Zone(TLZ)法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察

Author (6)： KANEKO MASASHI (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  KINOSHITA KYOICHI (宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部) ,  SUEMASU TAKASHI (筑波大 大学院数理物質科学研究科) ,  ODAWARA OSAMU (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  YODA SHIN'ICHI (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  YODA SHIN'ICHI (宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部)
Material： 日本マイクログラビティ応用学会誌  (JASMA)
Volume： 26  Issue： 2  Page： 95-99  Publication year： Apr. 30, 2009 
JST Material Number： L2202A  ISSN： 0915-3616  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,  *crystal growth ,  single crystal ,  gallium arsenide ,  crystal orientation ,  *backward scattering ,  surface of wall ,  electron probe microanalysis ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： initial state ,  composition analysis ,  *電子後方散乱

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (6)：

• ISHIKAWA, H. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 712
• KINOSHITA, K. J. Cryst. Growth. 2001, 225, 59
• KINOSHITA, K. J. Cryst. Growth. 2002, 237-239, 1859
• NAKAMURA, H. J. Cryst. Growth. 2003, 258, 49
• ARAI, M. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2007, 13, 1295

Terms in the title (7)： 法 ,  成長 ,  バルク ,  InGaAs ,  単結晶化 ,  初期状態 ,  観察