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J-GLOBAL ID：200902217172989765   Reference number：03A0300832

4H-SiC(000-1)C面のエピタキシャル成長

Author (8)： KOJIMA KAZUTOSHI (超低損失電力素子技術開発研究体) ,  SUZUKI TAKAYA (新機能素子研究開発協) ,  KURODA SATOSHI (産業技術総合研) ,  SENZAKI JUNJU (超低損失電力素子技術開発研究体) ,  KATO MAKOTO (超低損失電力素子技術開発研究体) ,  FUKUDA KENJI (超低損失電力素子技術開発研究体) ,  TANAKA TOMOYUKI (超低損失電力素子技術開発研究体) ,  ARAI KAZUO (超低損失電力素子技術開発研究体)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 50th  Issue： 1  Page： 440  Publication year： Mar. 27, 2003 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： ホットウォールCVD

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Propane

Terms in the title (2)： 4H-SiC ,  エピタキシャル成長