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J-GLOBAL ID：200902219798969610   Reference number：08A0383277

Reduction of spacer layer thickness of InAs quantum dots using GaNAs strain compensation layer

GaNAs歪補償層を用いたInAs量子ドットのスペーサ層厚低減

Author (4)： SUZUKI Ryoichiro (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  MIYAMOTO Tomoyuki (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  SENGOKU Tomoyuki (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  KOYAMA Fumio (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 14  Page： 141110  Publication year： Apr. 07, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *strain ,  *compensation ,  indium arsenide ,  gallium compound ,  nitride ,  *quantum dot ,  *spacer
Semi thesaurus term： *歪補償

JST classification (1)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Terms in the title (4)： 歪補償 ,  InAs量子ドット ,  スペーサ層 ,  厚