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J-GLOBAL ID：200902220353182074   Reference number：05A0876436

Threading Dislocations and Phase Separation in InGaAs Layers on GaAs Substrates Grown by Low-Temperature Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

低温の有機金属気相エピタキシャル法によって成長させたGaAs基板上のInGaAs層における貫通転位と相分離

Author (6)： TAKANO Yasushi (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  KOBAYASHI Kazu (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  IWAHORI Hideaki (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  UMEZAWA Masayoshi (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  SHIRAKATA Sho (Ehime Univ., Matsuyama, JPN) ,  FUKE Shunro (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 9A  Page： 6403-6411  Publication year： Sep. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Triethylgallium

Reference (26)：

• 1) L. Zimmermann, J. John, S. Degroote, G. Borghs, C. V. Hoof and S. Nemeth: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2838.
• 2) M. K. Hudait, C. L. Andre, O. Kwon, M. N. Palmisiano and S. A. Ringel: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 697.
• 3) P. Ribas, V. Krishnamoorthy and R. M. Park: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1040.
• 4) M. T. Bulsara, V. Yang, A. Thilderkvist, E. A. Fitzgerald, K. Hausler and K. Eberl: J. Appl. Phys. 83 (1998) 592.
• 5) Y. Takano, M. Masuda, K. Kobayashi, K. Kuwahara, S. Fuke and S. Shirakata: J. Cryst. Growth 236 (2002) 31.

Terms in the title (9)： 低温 ,  有機金属 ,  気相 ,  エピタキシャル ,  成長 ,  GaAs基板 ,  InGaAs ,  貫通転位 ,  相分離