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J-GLOBAL ID：200902227968447889   Reference number：06A0474985

Doping integrity diagnostics of planar transistor channel structures by scanning nonlinear dielectric microscopy

走査型非線形誘電率顕微鏡によるプレーナトランジスタチャネル構造のドーピング完全性の診断

Author (5)： MATSUKAWA Takashi (Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  TANOUE Hisao (Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  KANEMARU Seigo (Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SUZUKI Eiichi (Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 24  Issue： 1  Page： 237-244  Publication year： Jan. 2006 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *scanning probe microscope ,...

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JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (4)： 走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  ドーピング ,  完全性 ,  診断