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J-GLOBAL ID：200902228904930175   Reference number：08A0252485

Optical property and crystalline quarity of Si and Ge added β-Ga₂O₃ thin films

SiおよびGeを添加したβ-Ga₂O₃薄膜の光学的性質と結晶品質

Author (7)： TAKAKURA K. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  KUDOU T. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  HAYAMA K. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  SHIGAKI K. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  KAYAMOTO K. (Koto Manufacturing Co. LTD, Kumamoto, JPN) ,  SHIBUYA M. (Nihon Gas Chemi Co, Kumamoto, JPN)
Material： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (J Mater Sci Mater Electron)
Volume： 19  Issue： 2  Page： 167-170  Publication year： Feb. 2008 
JST Material Number： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *Germanium ,  *gallium oxide ,  thin film ,  *optical property ,  *quality ,  solar cell ,  transference electrode ,  electrical conductivity ,  sputtering ,  band gap ,  *doping ,  optical absorption ,  *crystal quality
Semi thesaurus term： germanium ,  Si ,  doping

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Terms in the title (6)： Si ,  Ge ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  結晶品質