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J-GLOBAL ID：200902241095081940   Reference number：06A0554108

Photoluminescence Characterization of InAs Quantum Dots on GaNAs Buffer Layer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

有機金属化学気相成長法によるGaNAsバッファ層上のInAs量子ドットに関する光ルミネセンスキャラクタリゼーション

Author (4)： SUZUKI Ryoichiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO Tomoyuki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUURA Tetsuya (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA Fumio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 45  Issue： 20-23  Page： L585-L587  Publication year： Jun. 25, 2006 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： organic metal chemistry gaseous phase growth method

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (10)：

• IGA, K. 8th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, 1996. 1996
• MUKAI, K. IEEE Photonics Technol. Lett. 1999, 11, 1205
• RAY, S. K. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 2520
• NISHI, K. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1111
• TATEBAYASHI, J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 053107

Terms in the title (5)： 有機金属化学気相成長法 ,  バッファ層 ,  InAs量子ドット ,  光ルミネセンス ,  キャラクタリゼーション