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J-GLOBAL ID：200902246474315313   Reference number：09A0334316

Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization

インデント誘導固相結晶化による絶縁体上のSiGe結晶結晶粒の位置制御した成長

Author (3)： TOKO Kaoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 3,Issue 3  Page： 03B007.1-03B007.4  Publication year： Mar. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon base alloy ,  *germanium base alloy ,  position ,  *crystal growth ,  substrate (plate) ,  crystallization ,  crystal grain ,  Nickel

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (24)：

• M. Miyao, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and S. K. Park: Tech. Rep. IEICE 101(2001)1 [in Japanese].
• S. Yamaguchi, N. Sugii, K. Park, K. Nakagawa, and M. Miyao: J. Appl. Phys.89(2001)2091.
• J. Olivares, A. Rodriguez, J. Sangrador, T. Rodriguez, C. Ballesteros, and A. Kling: Thin Solid Films 337(1999)51.
• T. Noguchi, H. Hayashi, and T. Ohshima: Jpn. J. Appl. Phys.25(1986) L121.
• J. A. Tsai, A. J. Tang, T. Noguchi, and R. Reif: J. Electrochem. Soc.142(1995)3220.

Terms in the title (9)： 誘導 ,  固相 ,  結晶化 ,  絶縁体 ,  SiGe ,  結晶 ,  結晶粒 ,  位置制御 ,  成長