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J-GLOBAL ID：200902247441312390   Reference number：08A0548962

Improvement of Al-Polar AlN Layer Quality by Three-Stage Flow-Modulation Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Al極性窒化アルミニウムの質を三ステージの流量変調有機金属化学蒸着法による改善

Author (11)： TAKEUCHI Misaichi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  OOISHI Shin (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTSUKA Takumi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MAEGAWA Tomohiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA Takahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHICHIBU Shigefusa F. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (RIKEN, Saitama, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 1  Issue： 2  Page： 021102.1-021102.3  Publication year： Feb. 25, 2008 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  compound semiconductor ,  *MOCVD ,  X-Ray Diffraction ,  Ammonia ,  semiconductor thin film ,  *cathodoluminescence ,  nucleation ,  modeling ,  exciton

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Trimethylaluminum

Reference (15)：

• TANIYASU, Y. Nature. 2006, 441, 325
• MASUI, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, L1318
• KHAN, M. Asif. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 7191
• MAYES, K. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1046
• OHBA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L1013

Terms in the title (8)： Al ,  極性 ,  窒化アルミニウム ,  質 ,  ステージ ,  流量 ,  変調 ,  有機金属化学蒸着法