Art

J-GLOBAL ID：200902247579824414   Reference number：08A0548925

First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors

AlGaNのチャンネルを持つ高電子移動度トランジスタの初めての動作

Author (9)： NANJO Takuma (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SUITA Muneyoshi (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ABE Yuji (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OISHI Toshiyuki (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TOKUDA Yasunori (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (RIKEN, Saitama, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 1  Issue： 1  Page： 011101.1-011101.3  Publication year： Jan. 25, 2008 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,  gallium compound ,  aluminum compound ,  compound semiconductor ,  *HEMT ,  band gap ,  voltage ,  dielectric breakdown ,  source ,  drain (semiconductor) ,  electric resistance ,  current-voltage characteristic ,  breakdown voltage ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *AlGaN

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• KELLER, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2001, 48, 552
• KIKKAWA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 4896
• OKAMOTO, Y. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2004, 52, 2536
• KAMO, Y. 2005 IEEE Microwave Theory and Techniques Society Int. Microwave Symp. Dig. 2005
• SUITA, M. Phys. Status Solidi C. 2006, 3, 2364

Terms in the title (3)： AlGaN ,  チャンネル ,  高電子移動度トランジスタ