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J-GLOBAL ID：200902247629954713   Reference number：03A0777430

Growth Kinetics and Electrical Properties of Ultrathin Si Oxide Film Fabricated Using Krypton-Diluted Oxygen Plasma Excited by Electron Cyclotron Resonance

電子サイクロトロン共鳴で励起したクリプトン希釈酸素プラズマを使って作製した酸化けい素膜の成長のカイネティクスと電気的性質

Author (6)： WANG J (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ZHAO L (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  LUU N H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MAKIYAMA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  WANG D (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 10  Page： 6496-6501  Publication year： Oct. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： cyclotron resonance ,...
Semi thesaurus term： 降伏電場

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JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (27)：

• 1) G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
• 2) M. L. Green, E. P. Gusev, R. Degraeve and E. L. Garfunkel: J. Appl. Phys. 90 (2001) 2057.
• 3) D. A. Carl, D. W. Hess, M. A. Lieberman, T. D. Nguyen and R. Gronsky: J. Appl. Phys. 70 (1991) 3301.
• 4) P. R. Lefebvre and E. A. Irene: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 1173.
• 5) Y. Z. Hu, J. Joseph and E. A. Irene: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1353.

Terms in the title (9)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  励起 ,  クリプトン ,  希釈 ,  酸素プラズマ ,  作製 ,  酸化けい素膜 ,  成長 ,  電気的性質