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J-GLOBAL ID：200902249527983460   Reference number：06A0722313

High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering

室温rfマグネトロンスパッタリングによって製作した非晶質InGaZnO₄チャネルをもつ高移動度薄膜トランジスタ

Author (9)： YABUTA Hisato (Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN) ,  SANO Masafumi (Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN) ,  ABE Katsumi (Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN) ,  AIBA Toshiaki (Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN) ,  DEN Tohru (Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN) ,  KUMOMI Hideya (Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN) ,  NOMURA Kenji (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...) ,  KAMIYA Toshio (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...) ,  HOSONO Hideo (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 11  Page： 112123-112123-3  Publication year： Sep. 11, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： room temperature ,...
Semi thesaurus term： electric field effect

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 室温 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  製作 ,  非晶質 ,  チャネル ,  高移動度 ,  薄膜トランジスタ