Art

J-GLOBAL ID：200902253768984694   Reference number：09A1257133

Growth of Compositionally Graded SiGe Bulk Crystal and Its Application As Substrate with Lateral Variation in Ge Content

組成的に傾斜したSiGeのバルク結晶の成長とGe含有量の横方向変化をもつ基板としてのその応用

Author (3)： NIHEI Ryota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NAKAJIMA Kazuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 11  Page： 115507.1-115507.4  Publication year： Nov. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon base alloy ,  *germanium containing alloy ,  crystal growth ,  *single crystal ,  content (quantity) ,  *semiconductor ,  *functional gradient material ,  *Bridgman method
Semi thesaurus term： SiGe ,  epitaxial growth ,  compositionally gradient

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (22)：

• K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and T. Shishido: J. Cryst. Growth 260(2004)372.
• D. J. Eaglesham and M. Cerullo: Phys. Rev. Lett.64(1990)1943.
• D. J. Eaglesham, H. J. Gossmann, and M. Cerullo: Phys. Rev. Lett.65(1990)1227.
• G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams: Science 279(1998)353.
• A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D. G. Cahill, and J. E. Greene: Phys. Rev. Lett.85(2000)3672.

Terms in the title (8)： 組成 ,  SiGe ,  バルク結晶 ,  成長 ,  Ge ,  含有量 ,  横方向 ,  応用