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J-GLOBAL ID：200902256831641300   Reference number：05A0879459

Electrical and Thermal Stability Characteristics of HfCN Films as Metal Gate-Electrode Synthesized by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

金属有機化学蒸着によって合成された金属ゲート電極としてのHfCN薄膜の電気と熱的安定性の特性化

Author (4)： WANG Wenwu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NABATAME Toshihide (AIST, Tsukuba, JPN) ,  HANEJI Nobuo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 28-32  Page： L1019-L1021  Publication year： Aug. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Carbon ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (16)：

• 1) B. Doyle, R. Arghavani, D. Barlage, S. Datta, M. Doczy, J. Kavalieros, A. Murthy and R. Chau: Intel. Tech. J. 6 (2002) 42.
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• 4) C. H. Choi, P. R. Chidambaram and R. Khamankar: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 224.
• 5) J. Schaeffer, N. V. Edwards, R. Liu, D. Roan and R. Gregory: J. Electrochem. Soc. 150 (2003) F67.

Terms in the title (5)： 金属有機化学蒸着 ,  ゲート電極 ,  薄膜 ,  熱的安定性 ,  特性化