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J-GLOBAL ID：200902257326411739   Reference number：06A0921127

Desorption Induced by Excited Electrons from Semiconductor Surfaces (I)-Desorption Induced by Electron-/hole-injection into Halogen-adsorbed Silicon Surfaces-

半導体表面からの励起電子誘起脱離(I)ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合

Author (2)： SHUDO KEN'ICHI (横浜国大) ,  TANAKA MASATOSHI (横浜国大)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 49  Issue： 10  Page： 600-604  Publication year： Oct. 20, 2006 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor process ,...
Semi thesaurus term： ESD

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Reference (41)：

• NARUSHIMA, T. J. Phys. : Condens. Matter. 2004, 16, L193-L200
• OHNO, S. J. Vac. Sci. Technol., A. 2005, A23, 475-479
• EVES, B. J. Surf. Sci. 2005, 579, L89-L96
• LOPINSKI, G. P. Phys. Rev., B. 2005, B71, 125308
• CHANG, J. P. Proc. 6th Int. Symp. 'Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing IV', 2000. 2000, 129-136

Terms in the title (8)： 半導体表面 ,  励起 ,  電子誘起脱離 ,  ハロゲン ,  吸着 ,  シリコン ,  電子 ,  正孔注入