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J-GLOBAL ID：200902263006829093   Reference number：04A0668002

Mechanism of PLD using Ga-Zn Liquid Alloy Target for Zn-doped GaN Growth

液体合金ターゲットを用いたZnドープGaN薄膜成長におけるPLDメカニズム

Author (4)： FUJII TATSUHIKO (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  KISO MASAYA (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  MASUYAMA YOICHIRO (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  KOBAYASHI TAKESHI (大阪大 大学院基礎工学研究科)
Material： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
Volume： 124  Issue： 9  Page： 823-826  Publication year： Sep. 01, 2004 
JST Material Number： S0808A  ISSN： 0385-4205  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *liquid metal ,...

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JST classification (2)： Structure of liquid metals  (BK02020P) ,  Thin films in general  (BK14010X)

Reference (9)：

• (1) N. I. Kuznetsov, A. E. Nikolaev, A. S. Zubrilov, Yu. V. Melnik, and V. A. Dmitriev : Appl. Phys. Lett., Vol. 75, p. 3138 (1999)
• (2) H. Sankur, W. J. Gunning, J. DeNatale, and J. F. Flintoff : J. Appl. Phys., Vol. 65, p. 2475 (1989)
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• (4) J. Suzuki, A. Nakamura, K. Mizuno, T. Hosomi, T. Maki, and T. Kobayashi : Proc. Int. Workshop Nitride Semicond. IWN2000 pp. 259-262, iPAP, Japan (2000)
• (5) R. P. van Ingen, R. H. J. Fastenau, and E. J. Mittemeijer : J. Appl. Phys., Vol. 76, p. 1871 (1994)

Terms in the title (8)： 液体合金 ,  ターゲット ,  Zn ,  ドープ ,  GaN ,  薄膜成長 ,  PLD ,  メカニズム