Art

J-GLOBAL ID：200902264837938910   Reference number：03A0873582

Synthesis of (Bi,Nd)₄(Ti,Ge)₃O₁₂ Thin Films by Chemical Solution Deposition

化学溶液堆積による(Bi,Nd)₄(Ti,Ge)₃O₁₂薄膜の作製

Author (6)： SAKAMOTO W (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IIZAWA N (Shonan Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  YOGO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HAYASHI T (Shonan Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  HIRANO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 11B  Page： L1384-L1386  Publication year： Nov. 15, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *bismuth compound ,...
Semi thesaurus term： 化学浴析出

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0873582&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Reference (12)：

• 1) B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W Noh, J. Lee and W. Joe: Nature 401 (1999) 682.
• 2) S. S. Kim, T. K. Song, J. K. Kim and J. Kim: J. Appl. Phys. 92 (2002) 2213.
• 3) U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim and C. H. Chang: Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 87601.
• 4) T. Hayashi, D. Togawa, M. Yamada, W. Sakamoto and S. Hirano: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6814.
• 5) H. Uchida, H. Yoshikawa, I. Okada, H. Matsuda, T. Iijima, T. Watanabe and H. Funakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6820.

Terms in the title (7)： 化学溶液堆積 ,  Bi ,  Nd ,  Ti ,  Ge ,  薄膜 ,  作製