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J-GLOBAL ID：200902270622237074   Reference number：06A0789440

Rate-Limiting Reactions of Growth and Decomposition Kinetics of Very Thin Oxides on Si(001) Surfaces Studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction Combined with Auger Electron Spectroscopy

Auger電子分光法と組み合わせた反射高速電子回折により調べたSi(001)表面上の非常に薄い酸化物の成長と分解の速度論の速度律速反応

Author (3)： OGAWA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (JST-CREST, Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 45  Issue： 9A  Page： 7063-7079  Publication year： Sep. 15, 2006 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Auger spectrum ,...
Semi thesaurus term： Auger electron spectrum ,...

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JST classification (1)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Reference (92)：

• F. M. Ross and J. M. Gibson: Phys. Rev. Lett.68(1992)1782.
• K. Ohishi and T. Hattori: Jpn. J. Appl. Phys.33(1994) L675.
• T. Hattori and H. Nohira: in Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, ed. Y. J. Chabal (Springer, Berlin, 2001) p. 61.
• H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa, T. Kawamura and K. Terakura: Phys. Rev. Lett.80(1998)345.
• H. Watanabe, N. Miyata and M. Ichikawa: in Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, ed. Y. J. Chabal (Springer, Berlin, 2001) p. 89

Terms in the title (8)： Auger電子分光法 ,  反射高速電子回折 ,  Si ,  酸化物 ,  成長 ,  分解 ,  速度論 ,  律速