Art

J-GLOBAL ID：200902292766038843   Reference number：06A0594123

Fabrication of T-Shaped Gate Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors

T字型のゲートダイアモンド金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの作成

Author (7)： HIRAMA Kazuyuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Shingo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUDAIRA Hiroki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (NEDO (New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization), Kawasaki, JPN) ,  KAWARADA Hiroshi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWARADA Hiroshi (NEDO (New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization), Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 45  Issue： 7  Page： 5681-5684  Publication year： Jul. 15, 2006 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (13)：

• B. J. Baliga: IEEE Electron Device Lett.10(1989)455.
• H. Umezawa, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi and H. Kawarada: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L1446.
• P. Gluche, A. Aleksov, A. Vescan, W. Ebert and E. Korn: IEEE Electron Device Lett.18(1997)547.
• H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki and H. Kawarada: IEEE Electron Device Lett.22(2001)390.
• H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki and H. Kawarada: Diamond Relat. Mater.11(2002)378.

Terms in the title (5)： T字型 ,  ゲート ,  ダイアモンド ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスター