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J-GLOBAL ID：200903000049624730

半導体基板の製造方法及び製造装置

Inventor： 松井 正樹 ,  亀山 美知夫 ,  猪俣 純朋 ,  深谷 輝和
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002193662
Publication number (International publication number)：2004039808
Application date： Jul. 02, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】新規な構成にて任意の形状及び寸法の半導体基板を容易に製造することができるようにする。【解決手段】円柱状のインゴット1を所定の厚さにスライスして円板状のウエハ10にする。円板状のウエハ10に対するレーザビームLbの照射による切断でウエハ10から任意の形状及び寸法のウエハ11を切り出す。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

円柱状のインゴット(1)を所定の厚さにスライスして円板状の半導体基板(10)にするスライス工程と、 前記円板状の半導体基板(10)に対するレーザビーム(Lb)の照射による切断で当該半導体基板(10)から任意の形状及び寸法の半導体基板(11)を切り出す切出工程と、 を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/304 ,  H01L21/02

FI (6)：

H01L21/304 601Z ,  H01L21/304 611S ,  H01L21/304 611W ,  H01L21/304 611Z ,  H01L21/02 A ,  H01L21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体ウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-013941   Applicant：日立電線株式会社
• 薄板の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-198253   Applicant：信越半導体株式会社
• 大口径ウェーハの評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-140208   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体基板の製造装置及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-282873   Applicant：日本電気株式会社