Pat
J-GLOBAL ID：200903000397902302

半導体製造条件設定方法、半導体製造条件設定装置、この装置を用いた半導体製造装置、及びこの半導体製造装置により製造された半導体基板

Inventor：
吉田 治正

About 吉田 治正


Applicant, Patent owner：
浜松ホトニクス株式会社

About 浜松ホトニクス株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998184653
Publication number (International publication number)：2000021856
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体のプラズマプロセスを安定な状態で行える半導体製造条件設定方法、装置、半導体製造装置、及び半導体基板を提供すること。【解決手段】 励起光発生手段5と、プラズマ内の粒子からの蛍光を分光する分光手段28と、蛍光強度を電気信号に変換する光検出手段30と、電気信号に基づいて蛍光強度を算出する蛍光強度算出手段35と、二以上の対応波長を選択する対応波長選択手段35と、パラメータと各対応波長の蛍光強度との関係である基準蛍光データを作成する基準蛍光データ作成手段35と、許容蛍光範囲を決定する許容蛍光範囲決定手段35と、被処理基板7の処理中に得られる処理中蛍光強度を算出する処理中蛍光強度算出手段35と、処理中蛍光強度に応じた候補パラメータを選定する候補選定手段35とを備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
チャンバ内に発生させたプラズマを使用して被処理基板に処理を施す半導体製造工程の製造条件を設定する方法であって、前記プラズマに励起光を照射して蛍光を発生させる工程と、前記蛍光を分光する工程と、分光された前記蛍光の各波長の蛍光強度を算出する工程と、前記製造条件である複数のパラメータの値を増減変化させたときに当該パラメータの増減変化に伴って前記蛍光強度が変化する前記各波長の中から、少なくとも二以上の波長を対応波長として前記各パラメータごとに選択する工程と、前記パラメータの値と、前記各対応波長の前記蛍光強度に基づく値との関係を示す基準蛍光データを前記各パラメータごとに作成する工程と、前記パラメータの許容範囲に対応した、前記各対応波長の前記蛍光強度に基づく範囲である許容蛍光範囲を前記各パラメータごとに決定する工程と、前記被処理基板に前記処理を施す際に得られる前記蛍光の前記各対応波長の蛍光強度である処理中蛍光強度を算出する工程と、前記基準蛍光データに基づいて、前記処理中蛍光強度に応じた候補パラメータを前記各パラメータの中から選定する工程と、前記処理中蛍光強度に基づく値が前記許容蛍光範囲を越えたときに、当該処理中蛍光強度に基づく値が前記許容蛍光範囲内になるまで前記候補パラメータの値を調整する工程と、を備えることを特徴とする半導体製造条件設定方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (3)：
H01L 21/302 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205
F-Term (39)：
5F004BB03 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045BB04 ,  5F045EH01 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F045GB07 ,  5F045GB08 ,  5F045GB15 ,  5F045GB16 ,  5F045GB17 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB42 ,  5F103BB48 ,  5F103BB51 ,  5F103BB52 ,  5F103BB53 ,  5F103BB56 ,  5F103BB57 ,  5F103BB58 ,  5F103NN01 ,  5F103NN03 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
Show all
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM