低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998115082
Publication number (International publication number)：1999302595
Application date： Apr. 24, 1998
Publication date： Nov. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】誘電率が3以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】 (i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式(II)で示されるハロゲン化シランの加水分解物と、下記一般式(III)で示されるポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとを含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。【化1】

Claim (excerpt)：

(i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式(II)で示されるハロゲン化シランの加水分解物と、下記一般式(III)で示されるポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとを含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR1)4-n (I)XnSiX'4-n (II)【化1】(Xは、水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基またはビニル基を表し、R1、R2、R3およびR4は、水素原子または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、X'はハロゲン原子を表す。また、mは整数、nは0〜3の整数である。)

IPC (4)：

C09D183/00 , C09D 5/25 , H01L 21/316 , C09C 1/28

FI (4)：

C09D183/00 , C09D 5/25 , H01L 21/316 G , C09C 1/28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299684 Applicant：触媒化成工業株式会社

Cited by examiner (18)

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299684 Applicant：触媒化成工業株式会社
特開平3-065506
ポリシラザン組成物、ポリシラザン溶液の調製方法、該組成物を用いたコーティング用組成物及び該コーティング用組成物を用いて得られるセラミックス被膜付プラスチック
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-346021 Applicant：東燃株式会社

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