半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998059378
Publication number (International publication number)：1999261105
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】十分な寿命を有し、且つ青色や緑色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子においてInを含む混晶で活性層を作成する場合、少なくともAlまたはBも併せて含む混晶とすることにある。これにより、結晶の熱耐性を向上することができ、素子特性の信頼性を大きく向上することができる。

Claim (excerpt)：

AlとInとGaとNとを少なくとも含み、且つ3.42エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有する活性層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-236478
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-184382 Applicant：富士通株式会社

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