半導体素子の製造のための局部的インプラント方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005211859
Publication number (International publication number)：2006261628
Application date： Jul. 21, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】半導体素子の特性に応じてウエハーの様々な領域を区分する境界線付近での不純物濃度の分布を調節することができる局部的インプラント方法を提供する。【解決手段】第1領域320の中で境界線310に隣接する一定の領域を除いた残りの領域である第1インプラント領域350と、第2領域330の中で境界線310に隣接する一定の領域を除いた残りの領域である第2インプラント領域370と、第1のインプラント領域350と第2インプラント領域370から除かれる領域である第3インプラント領域380とを限定するステップと、第1インプラント領域350には第1濃度の不純物イオンを注入させ、第2インプラント領域370には第1濃度と異なる第2濃度で不純物イオンを注入させ、第3インプラント領域380には第1濃度と第2濃度との間の第3濃度で不純物イオンを注入させるステップと、を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

境界線により区分されるウエハーの第1領域と第2領域を含む複数個の領域中に、相違した濃度の不純物イオンを注入する局部的インプラント方法において、前記第1領域の中で前記境界線に隣接する一定の領域を除いた残りの領域である第1インプラント領域と、前記第2領域の中で前記境界線に隣接する一定の領域を除いた残りの領域である第2インプラント領域と、前記第1のインプラント領域と第2インプラント領域から除かれる領域である第3インプラント領域とを限定するステップと、前記第1インプラント領域には第1濃度の不純物イオンを注入させ、前記第2インプラント領域には前記第1濃度と異なる第2濃度で不純物イオンを注入させ、前記第3インプラント領域には前記第1濃度と第2濃度との間の第3濃度で不純物イオンを注入させるステップと、を含むことを特徴とする局部的インプラント方法。

IPC (1)：

H01L 21/265

FI (1)：

H01L21/265 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

米国特許第6037629号明細書
米国特許第6005272号明細書
イオン注入方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-046213 Applicant：日新イオン機器株式会社

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Cited by examiner (6)

特開平3-046746
イオン注入方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-046213 Applicant：日新イオン機器株式会社
イオン注入方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-328662 Applicant：日新電機株式会社

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