半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005256546
Publication number (International publication number)：2006054475
Application date： Sep. 05, 2005
Publication date： Feb. 23, 2006
Summary：

【課題】トンネル絶縁膜中の電荷トラップ発生量またはリーク電流発生量を低減できる不揮発性メモリセルの製造方法を実現すること。【解決手段】不揮発性メモリセルの製造方法は、シリコン基板1と、シリコン基板1の表面に設けられ、素子分離溝2を含む素子分離領域と、シリコン基板1上に設けられた不揮発性メモリセルであって、トンネル絶縁膜4と、浮遊ゲート電極5と、制御ゲート電極7と、電極間絶縁膜8とを含む不揮発性メモリセルとを具備してなる半導体装置の製造方法であって、シリコン基板1上にトンネル絶縁膜4となる絶縁膜、浮遊ゲート電極5となる半導体膜を順次形成する工程と、前記半導体膜、前記絶縁膜およびシリコン基板1をエッチングして、素子分離溝2を形成する工程と、水蒸気雰囲気中で、浮遊ゲート電極5、トンネル絶縁膜4およびシリコン基板1をアニールする工程とを有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられ、素子分離溝を含む素子分離領域と、前記半導体基板上に設けられた不揮発性メモリセルであって、トンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極の上方に設けられた制御ゲート電極と、前記制御ゲート電極と前記浮遊ゲート電極との間に設けられた電極間絶縁膜とを含む不揮発性メモリセルとを具備してなる半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に前記トンネル絶縁膜となる絶縁膜、前記浮遊ゲート電極となる半導体膜を順次形成する工程と、前記半導体膜、前記絶縁膜および前記半導体基板をエッチングして、前記素子分離溝を形成する工程と、水蒸気雰囲気中で、前記浮遊ゲート電極、前記トンネル絶縁膜および前記半導体基板をアニールする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/115 , H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (5)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L21/76 L , H01L21/316 S , H01L21/316 P

F-Term (52)：

5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA77 , 5F032BA05 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032DA03 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA58 , 5F032DA78 , 5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF63 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F083EP04 , 5F083EP23 , 5F083EP42 , 5F083EP44 , 5F083EP56 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083GA19 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR07 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA12 , 5F101BA23 , 5F101BA29 , 5F101BA34 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD12 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-325656 Applicant：日本電気株式会社
望ましいゲートプロファイルを有する半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-019189 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-162238 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (7)

望ましいゲートプロファイルを有する半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-019189 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-162238 Applicant：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-043643 Applicant：株式会社日立製作所

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