散乱型近接場プローブ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋祐司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001251785
Publication number (International publication number)：2003065933
Application date： Aug. 22, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、プローブの形状を自由にコントロールでき、さらに各ロット間で高い形状安定性を有し、各ロット間の共振周波数のずれを改善した散乱型近接場プローブを提供することにある。【解決手段】被測定物表面と先鋭状のプローブを近接させることによりエバネッセント光を散乱させ、その散乱光より被測定物の情報を得る近接場光学装置における散乱型近接場プローブにおいて、前記プローブは、ガラスファイバに金属を被覆してなることを特徴とする散乱型近接場プローブ及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

被測定物表面と先鋭状のプローブを近接させることによりエバネッセント光を散乱させ、その散乱光より被測定物の情報を得る近接場光学装置における散乱型近接場プローブにおいて、前記プローブは、ガラスファイバに金属を被覆してなることを特徴とする散乱型近接場プローブ。

IPC (2)：

G01N 13/14 , G12B 21/06

FI (2)：

G01N 13/14 B , G12B 1/00 601 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光ファイバプローブ、その製造方法及び薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-262923 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
光ファイバプローブの製造方法及び光ファイバプローブ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-266868 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
光ファイバープローブ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-313921 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー

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