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J-GLOBAL ID:200903000874423888
カーボンナノチューブ分散ポリマーを用いた電界効果トランジスタの製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006230480
Publication number (International publication number):2008053607
Application date: Aug. 28, 2006
Publication date: Mar. 06, 2008
Summary:
【課題】カーボンナノチューブの複雑な精製処理やブレークダウンなどの後処理を行わなくてもOn/Off比や移動度の向上が可能な、カーボンナノチューブ分散ポリマーを用いた電界効果トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、ポリマー分散剤を用いてカーボンナノチューブ分散液を調製する工程と、前記分散液を塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を乾燥して半導体層を形成する工程とを含み、前記ポリマー分散剤が、水溶性かつ非導電性のポリマーである製造方法である。前記ポリマー分散剤としては、多糖類、アラビノガラクタン及びアラビアゴム(Gum arabic)などが好ましい。【選択図】図2
Claim (excerpt):
電界効果トランジスタの製造方法であって、
ポリマー分散剤を用いてカーボンナノチューブを分散させたカーボンナノチューブ分散ポリマー溶液を調製する工程と、
前記カーボンナノチューブ分散ポリマー溶液を塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を乾燥処理して半導体層を形成する工程とを含み、
前記ポリマー分散剤が、水溶性かつ非導電性のポリマーであることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (31):
5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110GG01
, 5F110GG24
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110GG58
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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電界効果半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-320709
Applicant:ソニー株式会社
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重合体コンポジット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-295899
Applicant:東レ株式会社
-
カーボンナノチューブ分散溶液およびカーボンナノチューブ分散体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-232069
Applicant:東レ株式会社
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