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J-GLOBAL ID：200903000874423888

カーボンナノチューブ分散ポリマーを用いた電界効果トランジスタの製造方法

Inventor：
中山 健一

About 中山 健一

, 
横山 正明

About 横山 正明

, 
脇坂 嘉一

About 脇坂 嘉一


Applicant, Patent owner：
国立大学法人大阪大学

About 国立大学法人大阪大学


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006230480
Publication number (International publication number)：2008053607
Application date： Aug. 28, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：
【課題】カーボンナノチューブの複雑な精製処理やブレークダウンなどの後処理を行わなくてもOn/Off比や移動度の向上が可能な、カーボンナノチューブ分散ポリマーを用いた電界効果トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、ポリマー分散剤を用いてカーボンナノチューブ分散液を調製する工程と、前記分散液を塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を乾燥して半導体層を形成する工程とを含み、前記ポリマー分散剤が、水溶性かつ非導電性のポリマーである製造方法である。前記ポリマー分散剤としては、多糖類、アラビノガラクタン及びアラビアゴム(Gum arabic)などが好ましい。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
電界効果トランジスタの製造方法であって、 ポリマー分散剤を用いてカーボンナノチューブを分散させたカーボンナノチューブ分散ポリマー溶液を調製する工程と、 前記カーボンナノチューブ分散ポリマー溶液を塗布して塗布膜を形成する工程と、 前記塗布膜を乾燥処理して半導体層を形成する工程とを含み、 前記ポリマー分散剤が、水溶性かつ非導電性のポリマーであることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (1)：
H01L29/78 618B
F-Term (31)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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